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微电科学与工程系

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李贤斌


一、简介

    李贤斌副教授(硕士、博士生导师)广东新会人,他创建吉林大学计算半导体物理实验室(www.ioe-jlu.cn/csp),长期围绕相变信息存储芯片和其他光电信息器件中的半导体的原子结构、电子态问题,采用电子结构计算方法开展调控与设计。曾发表第一/通讯作者SCI论文36篇,含Nature Commun. 1篇(吉大电子学院第一篇自然子刊),Phys. Rev. Lett. 3篇(吉大电子学院第一篇PRL),Adv. Mater. 1篇,Nano Today 1, Adv. Funct. Mater. 1篇,非晶顶级期刊Acta. Mater. 3篇。被包括Science杂志在内总引1200余次、他引近900次、H因子21。曾获国际半导体物理大会、美国材料学会春季会议、中国半导体物理会议、中德电子存储材料会议等邀请报告14次。主持973子课题、国家自然科学基金面上项目、青年项目等7项,近五年合同经费200余万。曾获吉林大学优秀青年教师培养计划、吉林省自然科学学术成果奖等。李贤斌副教授在相变信息存储的研究成果受到国际同行关注和认可:研究成果曾被三星公司、斯坦福大学Philips Wong教授(台积电现任首席技术官)点评为领域的Superior Performance 2015年受邀请访问世界相变/阻变存储技术重要发源地——亚琛工大与尤利希研究中心联合实验室并做特邀报告;2016年在第33届国际半导体物理大会上做邀请报告(中国东北地区唯一入选者,国际半导体物理领域最高水平学术会议);受邀在2019年美国材料学会相变信息存储论坛上与包括来自英特尔公司、牛津大学、斯坦福大学、日本产综研等业内14位著名学者做特邀报告。

学术兼职:“集成光学与集成光电子器件”专题主持人,全国第18次光纤通信暨第19届集成光学学术大会;美国电气电子工程师学会会员 (IEEE Member);顶级学术期刊Phys. Rev. Lett.Adv. Mater.J. Am. Soc. Chem.Adv. Funct. Mater. 邀请评审人;教育部学位中心优秀毕业论文通讯评议专家;吉林大学计算半导体物理实验室执行主任(www.ioe-jlu.cn/csp)2018 International Conference on Optoelectronics and Measurement, Conference Academic Committees.

二、研究方向

    相变信息存储芯片的半导体物理研究

三、获奖情况

2018年,吉林省自然科学学术成果奖(B08090305),“评价二维材料中带电缺陷形成能与载流子离化能的理论新方法”,李贤斌(通讯作者)。

四、代表论文

1. 第一责任作者, Phase-Change Superlattice Materials toward Low Power Consumption and High Density Data Storage: Microscopic Picture, Working Principles, and Optimization. Adv. Funct. Mater., 1803380 (2018) IF = 13.325

2. 第一责任作者, Directional Forces by Momentumless Excitation and Order-to-Order Transition in Peierls-Distorted Solids: The Case of GeTe. Phys. Rev. Lett. 120, 185701 (2018) IF = 8.839 (物理顶级)

3. 第一责任作者, Engineering two-dimensional electronics by semiconductor defects. Nano Today 16, 30 (2017) IF = 17.753

4. 第一责任作者, Determination of formation and ionization energies of charged defects in two-dimensional materials, Phys. Rev. Lett. 114, 196801 (2015) IF = 8.839 (物理顶级)

5. 共同通讯作者, Clarification of the Molecular Doping Mechanism in Organic Single-Crystalline Semiconductors and their Application in Color-Tunable Light-Emitting Devices. Adv. Mater. 1801078 (2018) IF = 21.950

6. 第一责任作者, Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory GeSbTe alloy. Acta Mater. 143, 102 (2018) IF = 6.036 (非晶/金属材料顶级)

7. 第一责任作者, Element-specific amorphization of vacancy-ordered GeSbTe for ternary-state phase change memory. Acta Mater. 136, 242 (2017) IF = 6.036 (非晶/金属材料顶级)

8. 第一责任作者, Origin of high thermal stability of amorphous Ge1Cu2Te3 alloy: A significant Cu-bonding reconfiguration modulated by Te lone-pair electrons for crystallization, Acta Mater. 90, 88 (2015) IF = 6.036 (非晶/金属材料顶级)

9. 第一责任作者,Native defects and substitutional impurities in two-dimensional monolayer InSe. Nanoscale 9, 11619 (2017) IF = 7.233

10. 第一责任作者,Boron based two-dimensional crystals: theoretical design, realization proposal and applications, Nanoscale 7, 18863 (2015) IF = 7.233

11. 共同通讯作者, One order of magnitude faster phase change at reduced power in Ti-Sb-Te, Nature Commun. 5, 4086 (2014) IF= 12.353 (自然子刊)

12. 第一责任作者, Role of electronic excitation in the amorphization of Ge-Sb-Te alloys, Phys. Rev. Lett. 107, 015501 (2011) IF = 8.839 (物理顶级)

五、电子邮箱

lixianbin@jlu.edu.cn

六、办公电话

0431-85168240


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