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微电科学与工程系

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董鑫

 

一、简 历

董鑫,男,博士,副教授,1980年生。2002年毕业于吉林大学物理学院,获理学学士学位;同年考入吉林大学电子科学与工程学院攻读硕士学位;2005年考入大连理工大学物理与光电工程学院,攻读博士学位。2008年毕业后留校工作。2013年5月至2014年5月赴美国北卡罗来纳州立大学工程学院从事访问学者工作。2013年吉林大学第三届师德先进个人。

二、研究方向

一直从事宽禁带半导体材料ZnO、GaN及相关材料的MOCVD生长、表征及相关器件的制备与研究工作。

三、承担科研项目及获奖

先后主持了国家自然科学基金项目《p型ZnNiO材料的MOCVD法制备调制掺杂问题研究》、吉林省科技厅项目《基于ZnNiO材料的蓝紫光LED的制备与特性研究》,并作为主要参加人,参与了国家“863”、“973”等多个项目的研究工作。同时主持过多项校企联合项目的研发工作。

四、讲授课程

主讲电子学院本科主干课程《半导体物理学》

五、代表性工作及论文

目前已在国内外学术刊物及会议上发表论文30余篇,主要有:

1.“Study on the p-Mg ZnO/ i-ZnO/ n-MgZnO light-emitting diode fabricated by MOCVD”,J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 235101

2.“Study on the properties ofMgxZn1−xO-based homojunctionlight-emitting diodes fabricated by MOCVD”, J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 7298–7301

3.“p-Type NiZnO thin films grown by photo-assist metal–organic chemicalvapor deposition”,Journal of Alloys and Compounds 579 (2013) 160–164

4.“Oxygen-induced physical property variation of deposited ZnO films bymetal–organic chemical vapor deposition”, Applied Surface Science 258 (2012) 8673– 8677

5.“Study on the luminescence properties of n-ZnO/ i-NiO/ n-GaNi so type Heterojunction diodes”, Journal of Luminescence 135 (2013) 160–163

六、报考要求

半导体相关专业毕业,对该专业感兴趣,具有刻苦钻研的精神和良好的英语水平。

七、毕业生去向

高校,科研院所,半导体器件制造相关行业

八、联系方式

电  话:(0431)85168241-8433

E-mail:dongx@jlu.edu.cn


 

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