一、简历

    陈占国，男，1972年3月生，博士、教授、博士生导师。1994年毕业于吉林大学微电子技术专业，获工学学士学位； 1997年毕业于吉林大学半导体物理与半导体器件物理专业，获理学硕士学位，同年留校任教；2002年，毕业于吉林大学微电子学与固体电子学专业，获理学博士学位。1997年留校后，一直在吉林大学电子科学与工程学院工作和学习，历任助教、讲师、副教授、教授至今。曾任微电子科学与工程系主任、院长助理、副院长等职务。

    2006年8月—2007年4月，在美国纽约城市大学城市学院做访问学者，从事半导体表面增强拉曼光谱和II-VI族量子点材料MBE生长技术的研究；2007年5月—2007年10月，在美国可再生能源国家实验室做访问学者，从事第一性原理计算方面的研究工作。

    目前的主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件、硅基光电子学等。主持国家自然科学基金项目5项、863项目1项、以及中俄合作协议项目、教育部留学回国基金项目等。作为主要参加人承担国家级项目8项。发表SCI、EI检索论文80多篇，获得国家发明专利4项。

二、主要科研项目
（一）主持项目

    1. 六方氮化硼日盲型pin光电二极管的研究，国家自然科学基金面上项目（批准号：621740665，2022.01-2025.12）

    2. 高性能六方氮化硼深紫外光电探测器的研究，国家自然科学基金面上项目（批准号：61474055，2015.01-2018.12）

    3. 立方氮化硼单晶真空紫外光电探测器的研究，国家自然科学基金面上项目（批准号：61077026，2011.01-2013.12）

    4. 基于场致线性电光效应的高速硅基电光调制器的研究，国家自然科学基金面上项目（项目批准号：60976043，2010.01-2010.12）

    5. 硅基场致GHz电光调制器的研制，科技部863项目（批准号：2009AA03Z419，2009.05-2011.12）

    6. 硅器件中的场致线性电光效应研究（项目负责人）
国家自然科学基金青年项目（项目批准号：60506016, 2006.01-2008.12）

    7. 硅材料中电场和应力诱导的二阶非线性光学效应研究，教育部留学回国人员科研启动基金项目（2009.01－2011.12）

    8. 硅材料场致非线性光学效应研究：界面与表面结构的测绘，国家自然科学基金委中俄协议项目（批准号：60811120023，2008.1-2009.12）

    9. 氮化硼材料生长技术研究，中国原子能科学研究院横向课题（合同编号：2021-ZHHJ-II-FWCG-0119, 2021.9-2022.9）

（二）参加项目

    10. 多层交叉结构的光子集成芯片（主要参加人）
国家重点研发计划项目（批准号：2019YFB2203000，2020.01-2022.12）

    11. 宽禁带半导体激光器件关键科学问题研究（主要参加人）
国家自然科学基金重点项目（批准号：61223005，2013.01-2016.12）

    12. 表面等离子体增强显微拉曼光谱仪（主要参加人）
国家自然科学基金委科学仪器基础研究专项基金项目（项目批准号：20627002，2007.01-2009.12）

    13. 应力和直流电场诱导的二次谐波的产生：硅基结构的测绘（主要参加人）国家自然科学基金委中俄协议项目（批准号：60711120182，2007.1—2008.12）

    14. 球型硅双光子响应光电探测器研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：60476027，2005.01－2007.12）

    15. 立方氮化硼的二阶非线性光学性质研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：60176009, 2002.01-2004.12）

    16. 双光子响应硅光电探测器研究与应用（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：69976013，2000.01-2001.12）

    17. 高空间分辨率外部电光取样技术研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：69676025，1997.01-1999.12）

三、近五年发表论文

    [1] High-Sensitivity Amorphous Boron Nitride Vacuum Ultraviolet Photodetectors, IEEE Electron Device Lett. 46(1): 76-79 (2025).

    [2] Extrinsic Photodetector Based on Co-Hyperdoped Black Silicon, IEEE T. Electron Dev. 71(6): 3775-3780 (2024).

    [3] Transfer-Free Analog and Digital Flexible Memristors Based on Boron Nitride Films, Nanomaterials 14(4): 327 (2024),

    [4] Neutron Detectors Based on Large-Thickness Hexagonal Boron Nitrides, Semiconductor Optoelectronics, 45(3):415-419 (2024). (in Chinese)

    [5] p-type hexagonal boron nitride films with bis(cyclopentadienyl) magnesium as a doping gas in halide vapor phase epitaxy, Appl. Phys. Lett. 123(20): 202102 (2023).

    [6] Record-Breaking-High-Responsivity Silicon Photodetector at Infrared 1.31 and 1.55 µm by Argon Doping Technique, IEEE T. Electron Dev., 70(5): 2364-2369 (2023).

    [7] 14C diamond as energy converting material in betavoltaic battery: A first principles study, AIP Advances, 13(11): 115314 (2023).

    [8] Improved Perovskite CH3NH3PbI3 Thin Films by ZIF-67 Additive Assisted Co Ion Doping toward High-Performance and Stable Photodetectors, Adv. Optical Mater. 11, 2300757 (2023).

    [9] Research Progress of Hexagonal Boron Nitride Neutron Detector, Semiconductor Optoelectronics, 43(3):2-12 (2022). (in Chinese)

    [10] The effects of post-annealing technology on crystalline quality and properties of hexagonal boron nitride films deposited on sapphire substrates, Vacuum, 199, 110935 (2022).

    [11] Near-infrared light excitation of h-BN ultra-wide bandgap semiconductor, Appl. Phys. Lett., 121, 241101 (2022).

    [12] Growth of hexagonal boron nitride films on silicon substrates by low-pressure chemical vapor deposition, J Mater Sci: Mater Electron, 32:3713–3719 (2021).

    [13] Sub-bandgap absorption and photo-response of molybdenum heavily doped black silicon fabricated by a femtosecond laser, Opt. Lett., 46(13): 3300-3303 (2021).

    [14] Steep Subthreshold Swing and Enhanced Illumination Stability InGaZnO Thin-Film Transistor by Plasma Oxidation on Silicon Nitride Gate Dielectric, Membranes, 11, 902 (2021).

    [15] Effect of employing chromium as a buffer layer on the crystallinity of hexagonal boron nitride films grown by LPCVD, J Mater Sci: Mater Electron. 32, 13961–13971 (2021).

    [16] Infrared absorption and sub-bandgap photo-response of hyperdoped silicon by ion implantation and ultrafast laser melting, J Alloy Compd, 883, 160765 (2021).

    [17] Sub-Bandgap Photo-Response of Chromium Hyperdoped Black Silicon Photodetector Fabricated by Femtosecond Laser Pulses, IEEE Sensors J, 21(22): 25695-25702 (2021).

    [18] Investigation of the structure and optical absorption of silicon coated with a chromium film after femtosecond laser irradiation, Semicond. Sci. Technol. 35, 015019 (2020).

    [19] Ultrafast laser-induced black silicon, from micro-nanostructuring, infrared absorption mechanism, to high performance detecting device, Materials Today Nano, 11, 100078 (2020).

    [20] Synthesis of magnesium nitride films with BN as protective layers by reactive radio-frequency magnetron sputtering, Thin Solid Films, 711, 138271 (2020).

四、教学情况

    1. 本科教学：曾主讲过《半导体物理学》《量子力学》《半导体物理实验》等课程，现为国家级精品课程《半导体器件物理与实验》负责人和主讲教师、吉林大学创新示范课程和学科育人示范课程负责人，主持多项省级重点教改项目、省级重点教材建设项目、校级重点教改项目等，作为副主编主持编写国家级规划教材《半导体器件物理》（第三版）。

    2. 研究生教学：曾主讲过《纳米材料学与电子材料理论》。现为《量子电子学》主讲教师。

五、主要荣誉与获奖

    2025年，吉林大学“唐敖庆学者”英才教授（续聘）

    2024年，吉林大学教材建设奖优秀教材二等奖

    2024年，吉林大学“优秀共产党员”

    2023年，吉林省教学成果三等奖

    2023年，吉林大学实践教学团队奖

    2022年，吉林大学教学成果一等奖

    2021年，宝钢优秀教师奖

    2020年，吉林大学“唐敖庆学者”英才教授

    2019年，吉林大学课堂教学质量奖“卓越奖”

    2014年，吉林省高等学校优秀本科教学团队带头人

    2011年，吉林大学“教书育人”先进个人称号

六、报考要求

    招收对象：微电子、电子科学与技术、物理、材料等专业背景的学生。

    外语要求：具有较强的英语读写能力。

    个性要求：对科研具有浓厚兴趣，能够自律；勤奋刻苦，积极上进；有很强的集体荣誉感和团队合作精神；善于思考，敢于质疑，勇于创新。

七、毕业生去向

    本课题组毕业生主要去向包括高等院校、科研院所和高新技术企业，如华为、中兴、一汽、京东方、中电科集团、芯恩（青岛）等。

八、联系方式

    办公室：吉林大学中心校区唐敖庆楼D306

    电话：13089136480

    邮箱：czg@jlu.edu.cn