一、简历
张源涛，吉林大学“唐敖庆学者”卓越教授，集成光电子学国家重点实验室副主任。教育部“长江学者奖励计划”特聘教授，教育部新世纪优秀人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。长期深耕于宽禁带半导体领域，曾作为洪堡学者和JSPS外国人特别研究员在德国德累斯顿工大和日本东北大学从事宽禁带半导体研究。主持国家自然科学基金重点项目/面上项目、国家重点研发计划项目等项目20余项。与华为、吉林华微等行业内龙头企业合作，服务国家实现关键技术自主可控。在Light、Adv. Funct. Mater.、Laser & Photonics Reviews等国内外学术期刊发表论文200余篇，出版《半导体材料》和《半导体激光器件物理》两部专著。获吉林省科学技术奖一等奖（排名第一）。
二、实验室简介
氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）、金刚石等宽禁带半导体是当前国际上公认的战略性先进电子材料。其中，GaN作为宽禁带半导体的代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等优越的材料特性，是短波长光电子器件、微波射频器件和功率器件的“核芯”，已在照明、显示、5G移动通信、消费类电子、新能源等领域得到广泛应用，被列入我国“十四五”规划。
宽禁带半导体芯片实验室隶属于集成光电子学国家重点实验室，已装备德国AIXTRON氮化物高温MOCVD系统、自主研发的氧化物MOCVD系统及金刚石生长用CVD系统等高端半导体设备，为GaN、Ga2O3、金刚石等宽禁带半导体材料的外延生长及芯片研发提供了保障。目前，实验室研究团队包括教授3人，副教授4人，研究生30人，学术梯队老中青三代结合，是国内一流的宽禁带半导体研究团队。2015年，团队获批“吉林省第三代半导体材料与器件创新团队”。2018年，团队获批建立“吉林省宽禁带半导体材料与器件工程实验室”。2020年，团队获得吉林省科学技术奖一等奖（张源涛教授排名第一）。同时，团队与华为等行业内龙头企业合作，服务国家实现关键技术自主可控，开发可用于先进显示和新一代通信技术的显示芯片和射频芯片；在吉林省发改委和吉林大学的共同支持下，团队与我国功率半导体器件制造基地吉林华微电子股份有限公司（国内半导体功率器件领域首家上市公司）共建了宽禁带半导体联合实验室，共同致力于宽禁带半导体功率器件研发及产业化；与上市高新技术企业圆融光电科技股份有限公司合作开发GaN基Micro LED芯片，由张源涛教授作为负责人、圆融光电参与的Micro LED项目获得国家自然科学基金区域联合基金重点项目资助；张源涛教授作为课题负责人与苏州纳维科技有限公司共同承担国家重点研发计划项目，负责开发氮极性GaN基HEMT器件。
三、获得学术性奖励情况:
1. 长江学者，教育部，2023年8月
2. 吉林省科学技术奖一等奖，吉林省科技技术奖励委员会，2020年11月
3. 新世纪优秀人才，教育部，2013年10月
4. 日本学术振兴会研究奖学金（JSPS Fellowship），日本学术振兴会，2010年4月
5. 洪堡奖学金（Humboldt Fellowship），德国洪堡基金会，2006年2月
四、讲授课程
本科生课程：半导体材料（48学时）
研究生课程：现代半导体器件物理（48学时）
五、报考要求
专业为微电子、电子科学与技术、电子信息科学与技术、电子信息工程与技术、物理、材料和化学专业的学生；有理想、有挑战精神和克服困难的勇气、做事认真、勤奋刻苦、为人诚实、善于合作；本科成绩优良，具有较好的英文读写能力。
竭诚欢迎对半导体芯片有兴趣的年轻才俊们加入我们团队！
六、毕业生去向
华为、Intel、一汽、中芯、台积电、海信、京东方、中微半导体等企业、北京大学、清华大学、大连理工大学、郑州大学、中科院长春光机所、中国电科第五十五研究所、工信部五所（广州）等科研单位。
七、联络方式
办公室：吉林大学中心校区唐敖庆楼D261
邮箱：zhangyt@jlu.edu.cn
