一、简历

邓高强，吉林大学副教授，博士生导师，主要从事Ш族氮化物半导体材料的外延生长、物性和器件制备研究。2019年吉林大学博士毕业，同年入选吉林大学“金种子”优秀人才培养计划；获2020年吉林省科学技术奖一等奖（第四完成人）；入选2022年吉林大学“励新优秀青年教师培养计划”；2023年认定为吉林省高层次D类人才；入选吉林大学2025年度“培英工程计划”；先后主持和承担国家自然科学基金区域联合重点项目、面上项目、青年科学基金项目（C类），以及吉林省科技厅重大专项项目和面上项目；在Laser & Photonics Reviews、IEEE Electron Device Letters、Photonics Research、Applied Physics Letters等本领域重要学术期刊发表论文50余篇，授权国家发明专利11件；担任《半导体光电》青年编委；受邀在国际和国内学术会议作邀请报告6次。

二、研究方向

1. 氮化物半导体材料：采用国际先进的氮化物专用MOCVD系统外延III族氮化物半导体材料，包括GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN、AlInN等，并开展材料物性研究。

2. 氮化物半导体电子器件和发光器件：高电子迁移率晶体管（HEMT）、发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等。

三、承担科研项目及获奖

1. 国家自然科学基金区域联合重点项目，参加单位负责人，在研；

2. 国家自然科学基金面上项目，主持，在研；

3. 吉林省科技发展计划重大专项项目，子项目负责人，在研；

4. 吉林省科技发展计划面上项目，主持，在研；

5. 国家自然科学基金青年项目（C类），主持，结题；

6. 获2020年吉林省科学技术奖一等奖（第四完成人）；

7. 入选2025年度中国第三代半导体技术十大进展（第八完成人）。

四、代表性论文

1. 1.X. Xia^†, G. Deng^†, Y. Wang, J. Zhao, Y. Liu, Q. Li, H. Li^*, Y. Zhang^*, and H. Xu^*, Direct Observation of Carrier Dynamics in the Localization States of InGaN/GaN Quantum Wells, Photonic s Research, 2026, 14, 309-315.

2. 2.H. Ma, G. Deng^*, S. Yang, Y. Wang, J. Zhao, C. Zuo, Y. Li, H. Gao, Y. Liu, X. Lin, T. Yang, and Y. Zhang^*, High-Mobility Nitrogen-Polar GaN/AlGaN Heterostructures Via Impurity Modulation, Applied Physics Letters, 2026, 128, 172101.

3. 3.J. Yu, G. Deng^*, Y. Niu, Y. Wang, H. Ma, S. Yang, C. Zuo, J. Zhao, H. Gao, G. Li, B. Zhang, and Y. Zhang^*, Improved Wavelength Stability of InGaN-Based Red LEDs Grown on Graphene/SiC Substrates, IEEE Electron Device Letters, 2025, 46, 72-75.

4. 4.H. Ma, G. Deng^*, S. Yang, Y. Wang, J. Zhao, C. Zuo, Y. Li, H. Gao, Y. Liu, X. Lin, Y. Zhang^*, Mobility-Enhanced Nitrogen-Polar GaN/AlGaN Heterostructure by Stress Modulation, IEEE Electron Device Letters, 2025, 46, 1737-1740.

5. 5.J. Zhao^†, K. Liu^†, G. Deng^†, X. Sun, D. Li^*, X. Li^*, and Y. Zhang^*, Polarization Doping of Wurtzite III-Nitride Ternary Alloys, Physical Review B, 2025, 112, 245201.

6. 6.Y. Niu, G. Deng^*, J. Yu, H. Ma, Y. Wang, S. Yang, C. Zuo, J. Zhao, Y. Li, H. Gao, G. Li, B. Zhang, and Y. Zhang^*, Realization of Controllable Growth of N‑Polarity GaN Films on SiCSubstrates by Modulating the Nucleation of the AlN Buffer Layer, Crystal Growth & Design, 2025, 25, 1768-1775.

7. 7.G. Deng, J. Yu, Y. Niu, L. Zhang, H. Ma, Y. Wang, C. Zuo, S. Yang, X. Han, L. Chen, B. Zhang, D. Li, and Y. Zhang^*, Demonstration of Full AlGaN Tunnel Junction Ultraviolet LED, ACS Photonics, 2024, 11, 1866-1872.

8. 8.Y. Niu, G. Deng^*, T. Wang, H. Ma, S. Yang, J. Yu, L. Zhang, Y. Wang, C. Zuo, B. Duan, B. Zhang, G. LI, X. Sun, D. Li, and Y. Zhang^*, Lattice Polarity Manipulation of AlN Films on SiC Substrates for N‑Polar GaN HEMTs, Crystal Growth & Design, 2024, 24, 7477-7483.

9. 9.L. Zhang, G. Deng^*, T. Tao^*, C. Zuo, T. Guan, Y. Niu, J. Yu, Y. Wang, H. Ma, B. Liu, B. Zhang, and Y. Zhang^*, Demonstration of Weak Polarization Electric Field III-N LEDs based on Polar Plane, Laser & Photonics Reviews, 2023, 17, 2300400.

10. 10.G. Deng, L. Zhang, Y. Niu, J. Yu, H. Ma, S. Yang, C. Zuo, H. Qian, B. Duan, B. Zhang, and Y. Zhang^*, High Hole Injection for Nitrogen-Polarity AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44, 1076-1079.

11. 11.Y. Zhao, G. Deng^*, Y. Niu, Y. Wang, L. Zhang, J. Yu, H. Ma, X. Chen, Z. Shi, B. Zhang, and Yuantao Zhang^*, Performance Enhancement of an N-Polar Nitride Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diode with Compositionally Graded p-AlGaN, Optics Letters, 2022, 47, 385-388.

五、讲授课程

本科生课程：半导体材料（48学时）

研究生课程：现代半导体器件物理（48学时）

六、报考要求

专业为微电子、电子科学与技术、电子信息科学与技术、电子信息工程与技术、物理、材料和化学专业的学生；有理想、有挑战精神和克服困难的勇气、做事认真、勤奋刻苦、为人诚实、善于合作；本科成绩优良，具有较好的英文读写能力。

七、毕业生去向

课题组毕业的研究生主要去向为华为、Intel、一汽、中芯、台积电、海信、京东方、中微半导体等企业；北京大学、清华大学、大连理工大学、郑州大学、中科院长春光机所、中国电科第五十五研究所、工信部五所（广州）等科研单位。

八、联络方式

办公室：吉林大学中心校区唐敖庆楼D261

邮箱：denggq@jlu.edu.cn