一、简历

吴国光，男，吉林大学教授。2004年毕业于吉林大学电子科学与工程学院，获工学学士学位；2012年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。毕业后留校任教，主要从事半导体材料表面界面特性、半导体光电子及电子器件的制备研究工作。

在国际上首次实现第三代半导体氮化铟异质结器件室温下的1.55μm通信波段高效电致发光，该方面工作被俄罗斯科学院D. N. Lobanov教授和V. Yu. Davydov教授等评价“二极管结构电致发光是InN光学性质研究中最重要的结果之一”。

面向第四代半导体金刚石大尺寸晶圆与器件制造的“卡脖子”难题，建设了金刚石半导体材料生长、加工及器件制备全链路实验平台，研发出2英寸硅基金刚石晶圆制备及加工技术，并积极推进金刚石晶体管器件的产业化应用。

作为项目负责人主持国家自然科学基金青年基金、面上基金，吉林省科技创新人才培育计划青年科研基金、重点研发计划产业关键核心技术攻关等科研项目，在Appl. Phys. Lett., Phys. Chem. Chem. Phys., Diam. Relat. Mater., J. Phys. Chem. C等期刊发表论文30余篇，授权国家发明专利3项。

二、研究方向

1.MBE法制备氮化物光电子器件：基于德国MBE/XPS/UPS/STM/AFM系统开展氮化物近红外发光器件等制备研究。

2.MPCVD法制备金刚石光电子器件：基于MPCVD系统开展金刚石日盲紫外探测、金刚石功率电子器件等制备研究。

三、代表性工作论文

[1] Xiaoqiu Wang, Mengmeng Ren, Guoguang Wu*, et al. Characteristics of silicon-based polycrystalline diamond MOSFETs prepared by three-step growth method, Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 185:108983.

[2] Yutong Chen, Haoxin Nie , Guoguang Wu*, et al. Non-damaged preparation and energy band structure modulation of silicon-based nitrogen-terminated diamond films, Diamond and Related Materials, 2024, 150:111666.

[3] Yifan Hu, Rongtao Nie, Guoguang Wu*, et al. Enhancing the performance of InGaN-based near-infrared light-emitting diodes under a weakly polarized electric field, Applied Optics, 2024, 63(20):5256-5260.

[4] Rongtao Nie, Yifan Hu, Guoguang Wu*, et al. Molecular Beam Epitaxial Growth and Optical Properties of InN Nanostructures on Large Lattice-Mismatched Substrates, Materials, 2024, 17(24):6181.

[5] Guoguang Wu, Weitao Zheng, Fubin Gao, et al. Near infrared electroluminescence of ZnMgO/InN core-shell nanorod heterostructures grown on Si substrate, Physical Chemistry Chemical Physics, 2016, 18:20812.

[6] Yang Zhao, Hui Wang, Guoguang Wu*, et al. Near infrared light-emitting diodes based on n-InN/p-NiO/p-Si heterojunction, Journal of Luminescence, 2016, 173:1.

[7] Qiang Jing, Hang Yang, Wancheng Li, Guoguang Wu*, et al. Catalyst free growth of high density uniform InN nanocolumns on p-GaAs(001) surface by PA-MBE and their in situ XPS analysis, Applied Surface Science, 2015, 331:248.

[8] Qiang Jing, Guoguang Wu, Yuantao Zhang, et al. Band alignment of InN/6H-SiC heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy, Applied Physics Letters, 2014, 105:063510.

[9] Guoguang Wu, Wancheng Li, Chunsheng Shen, et al. Near Infrared Electroluminescence from n-InN/p-GaN Light-Emitting Diodes, Applied Physics Letters, 2012, 100: 103504.

[10] Guoguang Wu, Yuantao Zhang, Wancheng Li, et al. Near Infrared Electroluminescence from n-InN/p-GaN and n-InN nanodots/p-Si Light-Emitting Diodes, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, OD2-1, Sapporo, Japan, 2012.10.14-19, invited.

四、教学情况

1.本科教学：讲授《数字电子技术》，参与完成《数字电子技术》教材编写出版和中国大学慕课平台课程建设，获吉林大学电子科学与工程学院第二届青年教师教学水平大赛优秀奖，吉林大学本科“课堂教学质量奖”优秀奖。

2.研究生教学：讲授《电子材料及其制备》。

五、报考要求

   欢迎有志于从事半导体行业工作的电子、物理、材料等专业的同学报考。

六、毕业生去向

博士：山东理工大学、河南科技大学，任职副教授；硕士：中科院沈阳自动化所、长鑫存储、兆易创新、士兰微、英诺赛科、楚兴技术、华虹半导体，任职制程整合工程师、系统设计工程师、器件设计工程师等。

七、联系方式

办公室：吉林大学中心校区唐敖庆楼D433

E-mail：wugg@jlu.edu.cn

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