一、简 介
陈念科，男，副教授，吉林大学唐敖庆青年学者。本科毕业于吉林大学材料科学与工程学院材料物理系，2018年获得吉林大学电子科学与工程学院物理电子学博士学位。利用第一性原理计算、电子结构分析和机器学习方法，从事非易失性信息存储技术（例如相变存储、铁电存储等）的微观机制研究和半导体设计与调控研究。以第一/通讯作者发表SCI论文25篇，其中包括Physical Review Letters、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters、Applied Physics Reviews、Advanced Functional Materials、Acta Materialia等国际权威期刊。作为任务负责人正在承担国家重点研发计划“高速***存储芯片研究”中的材料物理和材料设计任务。讲授本科课程《半导体物理》，荣获全国高等学校电子信息青年授课竞赛全国二等奖、华北赛区一等奖等荣誉。曾获2018年度中国光学学会优秀博士学位论文提名优秀奖；入选吉林大学“金种子”人才工程（2018）；入选吉林大学选吉林大学优秀青年教师培养计划（2021）、吉林大学“唐敖庆”青年学者（2022）、吉林大学优青培育计划（2023）等。目前是吉林大学计算半导体物理实验室（http://www.ioe-jlu.cn/csp/index.php）核心成员。
二、主要研究方向
1.相变信息存储芯片中的半导体材料物理和材料设计研究；
2.基于AI的相变存储器原子仿真及原子TCAD工具研究；
3.面向光存储/光计算应用的存储新原理和超快动力学研究；
三、科研项目
1.国家重点研发计划子课题，100万元，在研；
2.国家自然科学基金面上项目，55万元，在研；
3.国家自然科学基金青年项目，结题；
4.吉林省自然科学基金面上项目，结题；
5.中国博士后科学基金面上项目，结题。
四、代表性论文
1. Yu-Ting Huang, Zhen-Ze Li, Nian-Ke Chen, Yeliang Wang, Hong-Bo Sun, Shengbai Zhang, and Xian-Bin Li, Complex charge density waves in simple electronic systems of two-dimensional III2–VI3 materials, Nature Commun. 15, 9983 (2024).
2. Meng Niu, Nian-Ke Chen, Bai-Qian Wang, Shun-Yao Qin, Yu-Ting Huang, Hong-Bo Sun, Shengbai Zhang, and Xian-Bin Li, Ultrafast Modulation of Stacking Orders in vdW Layers by Photoinduced Pseudosliding of Ferroelectric Monolayer, Nano Lett. 25, 33, 12463 (2025).
3. Ming-Yu Ma, Dan Wang, Yu-Ting Huang, Dong Han, Nian-Ke Chen, Hong-Bo Sun, Shengbai Zhang, and Xian-Bin Li, Vacancy Defects in 2D Ferroelectric In2Se3 and the Conductivity Modulation by Polarization−Defect Coupling, Nano Lett. 25, 3726 (2025).
4. Xiao-Dong Li, Nian-Ke Chen, et al., Resistive Memory Devices at the Thinnest Limit: Progress and Challenges, Adv. Mater. 2307951 (2024).
5. Tian-Yu Zhao, Jiahao Li, Nian-Ke Chen, Bai-Qian Wang, Xiaomin Cheng, Shun-Yao Qin, Huan-Ran Ding, Shengbai Zhang, Hong-Bo Sun, Xiangshui Miao, and Xian-Bin Li, Heterogeneous Coherent Interface Enabling Nonstochastic Crystallization for Phase-Change Memory, Adv. Funct. Mater. e23223 (2026).
6. Yu-Ting Huang, Nian-Ke Chen, et al., Two-dimensional In2Se3: A rising advanced material for ferroelectric data storage, InfoMat 4, e12341 (2022).
7. Yu-Ting Huang, Nian-Ke Chen, et al., Mexican-hat potential energy surface in two-dimensional III2-VI3 materials and the importance of entropy barrier in ultrafast reversible ferroelectric phase change, Appl. Phys. Rev. 8, 031413 (2021) [Featured article].
8. Yu-Ting Liu, Xian-Bin Li, Hui Zheng, Nian-Ke Chen, et al., High-Throughput Screening for Phase-Change Memory Materials, Adv. Funct. Mater. 31, 2009803 (2021).
9. Xue-Peng Wang, Xian-Bin Li, Nian-Ke Chen, et al., Phase-Change-Memory Process at the Limit: A Proposal for Utilizing Monolayer Sb2Te3, Adv. Sci. 8, 2004185 (2021).
10. Nian-Ke Chen, et al., Directional forces by momentumless excitation and order-to-order transition in Peierls-distorted solids: the case of GeTe. Phys. Rev. Lett. 120, 185701 (2018).
五、报考指南
如果你对原子、电子层面发生的事情充满好奇，喜欢琢磨“这种芯片中的器件是怎么工作的？这个器件性能为什么是这样？”，那我们会有很多共同话题^_^
如果有以下两个“特质”那我们可真是“情投意合”了：
1.好奇心：愿意为了一个“为什么”去反复思考、反复求证。
2.常沟通：读研读博，困难重重是常态，一帆风顺是意外。idea失败、论文被拒、实验结果想不明白……这些都是正常的。遇到困难别闷着，经常来沟通，我们一起想办法。
六、课题组学生毕业去向
国外大学继续深造、全国各大高校 (985、211)/科研院所、国内著名半导体/通讯等企业（长江存储、台积电、华为海思、荣耀、士兰微电子等）。
七、联系方式
电子邮箱：chennianke@jlu.edu.cn
