一、 简 历
赵纪红，女，1984年生，教授、博士生导师。2006年毕业于吉林大学电子科学与工程学院微电子学系并获学士学位；2011年获吉林大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2011年7月以讲师身份留校任教，2020年9月聘为教授。2016年12月至2017年12月期间作为国家公派访问学者在美国纽约州伦斯勒理工学院（RPI）应用物理与宇航系进行学习交流。
二、研究方向
超快激光掺杂黑硅材料及硅基光电探测器
三、承担科研项目及获奖
1. 国家自然科学基金面上基金项目，62275098，瞬态强场作用下过饱和掺杂硅的红外探测机理及器件应用研究，2023/01-2026/12，52万元，在研，主持；
2. 国家自然科学基金面上基金项目，61775077，超快脉冲激光辐照黑硅的红外吸收机制探索及近红外光电探测器件应用研究，2018/01-2021/12，62万元，结题，主持；
3. 国家自然科学基金青年基金, 61307119,面向红外探测应用的飞秒激光微结构化黑硅的掺杂改性研究, 2014/01-2016/12，26万元，结题，主持；
4. 国家自然科学基金重点项目子课题，61235004，新型半导体激光器及多功能光子集成基础研究，2013/01-2017/12，50万元，结题，主持；
5. 中国博士后科学基金面上项目，2013M541300，超快飞秒激光制备结构化黑硅的掺杂改性机理研究，2014/11-2015/12，5万元，结题，主持；
6. 入选2019年度励新优秀青年教师培养计划重点培养阶段。
四、讲授课程
本科生：专业主干课“半导体材料”
实验课“光电子学与光电器件实验”
研究生：专业课“半导体光电子学”
五、代表性工作及论文
代表性论文：
1. Helium as an exceptional protective gas for femtosecond laser processing of crystalline silicon, Optics Express 33, 54586 (2025).
2. Enhancing the sub-bandgap photo-response of silicon by inert element co-hyperdoping, Optics Letters 50, 367 (2025).
3. High-sensitivity amorphous boron nitride vacuum ultraviolet photodetectors, IEEE Electron Device Letters 46, 76 (2025).
4. Enhancing Infrared Photodiode Performance by Femtosecond Laser Hyperdoping, IEEE Sensors Journal 24, 27373 (2024).
5. Inert gas element as active infrared-absorption source and donor in silicon for forbidden-wavelength sensing, Advanced Optical Materials 12, 2400361 (2024).
6. Extrinsic photodetector based on co-hyperdoped black silicon, IEEE Transactions on Electron Devices 7, 3775 (2024).
7. Record-breaking-high-responsivity silicon photodetector at Infrared 1.31 and 1.55 μm by argon doping technique, IEEE Transactions on Electron Devices 70, 2364 (2023).
8. Sub-bandgap absorption and photo-response of molybdenum-heavily-doped black silicon fabricated by femtosecond laser, Optics Letters 46, 3300 (2021).
9. Ultrafast laser induced black silicon, from micro-nanostructuring, infrared absorption mechanism, to high performance detecting devices, Materials Today Nano 11, 100078 (2020).
10. NIR photodetector based on nanosecond laser-modified silicon, IEEE Transactions on Electron Devices 65, 4905 (2018).
11. Sub-bandgap photo-response of non-doped black-silicon fabricated by nanosecond laser irradiation, Optics Letters 43, 1710 (2018).
12. Black silicon IR photodiode supersaturated with nitrogen by femtosecond laser irradiation, IEEE Sensors Journal 18, 3595 (2018).
13. Gold-hyperdoped black silicon with high IR absorption by femtosecond laser irradiation, IEEE Transactions on Nanotechnology 16, 502 (2017).
14. Fabrication of black silicon with thermostable infrared absorption by femtosecond laser, IEEE Photonics Journal 8, 6805809 (2016).
15. Infrared absorption of femtosecond laser textured silicon under vacuum, IEEE Photonics Technology Letters 27, 1481 (2015).
发明专利：
1. 一种铬掺杂黑硅材料及其制备方法，赵纪红；李超；陈占国；陈岐岱；李贤斌；孙洪波， 2019-7-12, 中国，CN201910629571 .4.；
2. 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，陈占国; 李方野; 赵纪红; 刘秀环; 王帅; 陈曦; 侯丽新; 高延军，2020-1-13, 中国, ZL202010030275.5.；
3. 一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，陈占国; 范盛达; 刘晓航; 陈曦; 侯丽新; 刘秀环; 赵纪红; 高延军，2025年10月31日，中国，ZL 2023 1 1501689.1；
4. 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，陈占国; 赵泽利; 陈曦; 赵纪红; 刘秀环; 侯丽新; 高延军2021-3-15, 中国, CN202110273353.9.；
5. 一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法，陈占国; 谭春波; 陈曦; 刘秀环; 赵纪红; 侯丽新; 高延军2021-3-15, 中国, CN202110273352.4.；
六、报考要求
热爱科研，踏实做事，态度认真，思想积极进取，具有团队精神，具有半导体物理、半导体器件知识背景的学生。
七、毕业生去向
指导学生去向：台积电、华为、大族激光、爱旭太阳能、西湖大学等企业和高校。
八、联系方式
硅基&紫外光电子学实验室：吉林大学中心校区唐敖庆楼D334
微信号：xiaopidou0511
E-mail：zhaojihong@jlu.edu.cn
