报告摘要：氮化镓是最重要的宽禁带半导体之一，作为短波长光电器件已经广泛地用于固态照明、显示等领域。由于二维电子气结构所具有的高迁移率、高饱和速度和高电子浓度的特点，AlGaN/GaN异质结构更是发展微波毫米波器件和高速电路最有希望的材料。换言之，GaN是同时具备高速（高至太赫兹领域）和高电压（1200V以下）两个优点的唯一半导体，在开发高速、高功率和高耐压电子器件方面具有很强的竞争力，正在向AI大数据中心电源、无人机电源和人形机器人电源等高效率、小型化和轻量化功率系统上快速渗透。本报告将介绍本团队在氮化镓半导体器件的研究与应用方面的工作，包括常关型（增强型）氮化镓功率器件和微波器件等。作为新的应用探索，开发了GaN微波肖特基二极管(SBD)和微波整流器（microwave rectifier），用于微波无线供电技术。源于优秀的二极管器件性能和精确的微波电路设计，各频段的RF/DC整流效率达到了80-90%。在低功率应用方面，在工作频率915 MHz、输入功率0 dBm (1 mW)和-10 dBm (0.1 mW)的条件下，RF/DC转换效率分别达到77%和55%。在5.8 GHz的频率和输入功率0 dBm时，RF/DC转换效率也达到了47%。在不同的传输频率下，成功进行了米级距离的微波无线供电实验，为微波无线供电技术的推广应用打下了坚实的技术基础。

    报告人简介：敖金平，江南大学教授，博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员。1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师，从事 GaAs高速电子器件、集成电路和光电集成电路的研究工作。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。作为项目负责人，完成了国家十三五重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目。2022年起加入江南大学集成电路学院，任二级教授，博士生导师。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有三十多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖，广东省科学技术奖二等奖和中国电子学会科学技术奖二等奖等奖项。